??SiC晶片是一種由硅和碳的化合物制成的半導(dǎo)體材料。

SiC全稱為碳化硅，是硅（Si）和碳（C）結(jié)合形成的化合物。它具有極高的耐熱性和耐磨性，以及優(yōu)異的耐化學(xué)性。它是一種在半導(dǎo)體工業(yè)中廣泛使用的材料。

SiC晶片的應(yīng)用

SiC晶片可用于多種場(chǎng)合。下面是一個(gè)例子。

1. 功率器件

SiC是電力電子領(lǐng)域的一種先進(jìn)材料。 SiC MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種能夠在高壓和高溫條件下工作的開關(guān)器件。它有助于提高電源轉(zhuǎn)換電路的效率并最大限度地減少能量損失。

此外，SiC二極管即使在高電壓下也能夠高速開關(guān)。它有助于減少電源電路中的開關(guān)損耗。廣泛應(yīng)用于逆變器、電源等電力相關(guān)設(shè)備。

2. 通訊設(shè)備

SiC還用于高頻設(shè)備。這些設(shè)備用于通信設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)，可以有效地處理信號(hào)并提供高精度的數(shù)據(jù)傳輸。 SiC具有優(yōu)異的高頻特性，能夠保持高信號(hào)質(zhì)量。

3.傳感器

SiC具有優(yōu)異的耐高溫性能，可用于制造可在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的電子設(shè)備。還可以利用SiC晶片制造高溫傳感器。這使得在惡劣條件下進(jìn)行測(cè)量和控制成為可能，例如在發(fā)動(dòng)機(jī)和航空航天應(yīng)用中。

SiC晶片的原理

SiC是硅和碳結(jié)合形成的化合物。即使在高溫下也能穩(wěn)定運(yùn)行，并具有優(yōu)異的耐磨性。它還可以處理高電壓，使其適用于電力電子。

在 SiC 晶片中，硅原子和碳原子通過(guò)共享電子結(jié)合在一起。硅和碳都是四價(jià)元素，它們共享四個(gè)電子對(duì)形成強(qiáng)鍵。產(chǎn)品具有多種晶體結(jié)構(gòu)，這也會(huì)影響其物理特性。

SiC晶片的生產(chǎn)首先采用高純度的硅和碳作為原料。為了生長(zhǎng) SiC 晶體，通常使用 PVT（物理氣相傳輸）方法或 HTCVD（高溫化學(xué)氣相沉積）方法。這使我們能夠生產(chǎn)出高質(zhì)量的碳化硅單晶。

將生長(zhǎng)的SiC單晶切割成晶片。為了用于高密度電子設(shè)備，晶體的平整度和厚度必須均勻。然后對(duì)切割后的 SiC 晶片進(jìn)行拋光，使其表面光滑，從而可以提高器件性能。

如何選擇 SiC 晶片

選擇 SiC 晶片時(shí)，應(yīng)考慮以下幾點(diǎn)：

1. 尺寸

晶圓的直徑和厚度直接影響器件制造工藝和最終產(chǎn)品的特性。晶圓直徑有100mm、150mm等尺寸，直徑越大，一次可制造的設(shè)備就越多。更大直徑的晶圓有助于降低制造成本，但它們的處理和加工也變得更困難。

厚度通常在1mm至3mm范圍內(nèi)選擇。厚度越大，機(jī)械強(qiáng)度越高，但會(huì)增加晶圓制造和加工的成本。根據(jù)設(shè)備的使用條件和所需性能選擇最佳厚度非常重要。

2. 質(zhì)量

SiC晶片的表面質(zhì)量和內(nèi)部缺陷直接影響最終器件的性能和可靠性。光滑的表面對(duì)于提高器件的制造精度具有重要意義。表面粗糙度和過(guò)多的缺陷會(huì)對(duì)器件的電氣性能和機(jī)械強(qiáng)度產(chǎn)生不利影響。

內(nèi)部缺陷和雜質(zhì)也會(huì)影響器件性能。高質(zhì)量晶圓的內(nèi)部缺陷和雜質(zhì)更少，從而可以制造出高可靠性的設(shè)備。我們選擇經(jīng)過(guò)徹底質(zhì)量檢查和缺陷評(píng)估的產(chǎn)品。

3.成本

成本是一個(gè)重要因素，因?yàn)?SiC 晶片是一種昂貴的材料。需要考慮性價(jià)比，在所需性能和預(yù)算之間取得良好的平衡。此外，通過(guò)選擇能夠提供技術(shù)支持的供應(yīng)商，可以有效解決制造工藝和設(shè)備設(shè)計(jì)中的問(wèn)題。